交易价格: 面议
所属行业: 检测仪器
类型: 非专利
交易方式: 资料待完善
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一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法,该方法是在已经制备ZnS阻挡层和对准标记的碲镉汞红外芯片上,通过光刻工艺,设计一系列不同间距PN结的离子注入掩膜。离子注入后再通过常规工艺制备钝化层和金属化欧姆接触,剥离并获得一系列不同间距PN结展宽的测试图形。最后,用低温冷探针系统对每对PN结进行电流电压测试,并通过结合电流电压测试结果分析和每对PN结间距判断横向展宽宽度。本发明方法操作简单,便于实现在线分析PN结结宽。
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