[00139798]用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法
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技术详细介绍
该课题完成了基于中芯国际40nm标准CMOS工艺的PCRAM芯片电路设计、器件结构设计、新型相变材料工程化验证、12英寸整片芯片自动高效无损测试系统搭建、芯片单项纳米加工工艺及其集成技术开发,解决了具有自主知识产权的64Mb PCRAM芯片的规模制造技术关键基础科学问题和工艺技术开发难题,圆满完成了课题计划任务书全部指标。 本发明揭示了一种用于相变存储器的Sb2Te3-Si3N4相变复合材料,使得具有可逆相变能力的Sb2Te3相变材料被非晶态Si3N4隔离成纳米尺度的区域,形成复合结构,并且是薄膜结构。其组分为（Sb2Te3）x（Si3N4）100-x,期中60＜x＜100。所述的材料在外部作用下为电驱动。通过调节化合物中Si3N4的含量可以得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的复合相变存储材料。（Sb2Te3）x（Si3N4）100-x与传统的Sb2Te3材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力和较低的熔点,并且结晶后的晶粒度小,耗能低。
