[00139847]稀土产业技术创新战略联盟重点项目——半导体用光掩膜专用稀土抛光粉

随着半导体、PCB行业呈现高势头发展趋势,对作为半导体制造流程中的关键过程—光掩膜的要求也逐步提高,而光掩膜质量的好坏与其玻璃基板的表面光滑度和平整度有着极为密切的关系,玻璃基板表面质量差将直接产生间隙、微孔等缺陷,这些缺陷会影响芯片的制作质量和使用效果。因此,玻璃基板用的抛光材料是光掩膜生产中的决定性因素。 我公司通过不断发展创新,形成了适合本地区资源优势的生产工艺体系,研发的光掩膜用稀土抛光粉的出现正是适合了半导体、PCB行业这一高速发展的市场,因此,研制的光掩膜专用稀土抛光粉市场前景十分广阔。 通过客户对该产品一年多的使用,并听取了用户的建议和意见,我们还需不断改进产品质量,完善产品性能,进一步提高市场份额,为我公司征税创收。 以碳酸稀土为原料,经过湿式粉碎、氟化后得到粒度均一、具有一定氟含量的新型前驱体：运用动态焙烧技术,控制抛光粉的晶粒生长过程来达到所需的晶粒大小和晶型结构,并对新型前驱体的热分解过程进行跟踪监测,对采集的数据进行分析,研究其工艺条件与抛光粉微观结构和抛光性能相关关系,建立焙烧工艺条件与抛光性能的相关关系。通过气流附壁效应分级技术严格控制粉体的粒度大小和粒度分布,制备出半导体光掩膜用稀土抛光粉。 产品制备： 化学成分： TREO≥95.00% CeO2/TREO≥60% 物理性能： 一次颗粒平均粒径尺寸在15～18nm之间 二次颗粒D50：0.6～0.8μm、Dmax≤4.0μm