[00140052]一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法,该探测器包括吸收区、阻挡区、源漏区、介电区和栅区六个部分,制备方法包括五个步骤,即通过光刻、离子注入、等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、热蒸发技术在高阻GaAs基底依次形成吸收区,源漏区（与阻挡区）,介电区,源漏电极,以及栅区。本发明的优点是：栅区电压导致吸收区载流子耗尽有效降低了光生电子空穴对的复合速率,提高了内量子效率,从而提高了传统杂质光电导型光子探测器的探测率,并且与当前的半导体工艺技术相兼容。
