[00141888]一种电子材料用高纯钽靶材的制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种电子材料用高纯钽靶材的制备方法,属于粉末冶金和半导体器件制造领域,所述制备方法是将高纯钽块体首先进行粉碎,再球磨至粒度为5-150μm的钽粉;将钽粉混料后装模,振实压紧;然后将模具放入高温热压炉,在1500-1800℃进行热压;烧结结束后冷却至室温出炉、脱模,得到高纯钽靶材的坯体,密度为11.3-14.5g/cm3。按照磁控溅射设备要求,将坯体进行切割加工,并按照用户要求将加工后的坯体与相应的背板焊接,得到高纯钽靶材。采用本发明制备的高纯钽靶材,可显著降低传统铸造法制备靶材的技术难度,工艺的可控性大大提高,有助于后期材料类镀膜性能的提高。
