[00142204]HEMT器件及其制造方法
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技术详细介绍
本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据 本发明的一个方面,提供了一种HEMT器件,包括：在衬底上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;与上述半导体层接触的源极和漏极;以及在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅,该栅极和至少一个浮栅为双层结构,其中上层为导电层,下层为第一介质层。一种HEMT器件,包括：在衬底上的半导体层;在上述半导体层上的隔离层;与上述隔离层接触的源极和漏极;以及在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅,该栅极和至少一个浮栅为双层结构,其中上层为导电层,下层为第一介质层。
