[00142248]基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法
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技术详细介绍
本发明一种基于磁控溅射技术沉积太阳能电池用硅薄膜的方法,所制备的硅薄膜厚度为0.01μm～5μm,使用的设备为磁控溅射设备,包括以下步骤：选取基材,进行前清洗处理;放置于工装架上,送至磁控溅射设备的真空腔室中;工装架在硅薄膜制备过程中保持直线运动,对整个真空腔室进行抽真空;持续通入氩气和氢气的混合气体,并保证工作气压一定;将硅靶材的靶电流增大至0.3A～15A后,或者将硅靶材的靶功率增大至100W～2000W后,维持硅靶材的电参数以进行硅薄膜的沉积,沉积时间为1min～30min。本发明方法制备过程无有毒且危险气体介入、工艺稳定、安全可靠、重复性好,且制得的硅薄膜沉积速率高、致密性好。
