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该项目开发了一种新型的CVD工艺——等离子辅助反应热CVD法,国际上首次提出采用氟化锗为气体以期达到锗含量与掺氟量的匹配的思想,解决了硅锗材料中氢择优与硅键合导致的随锗含量升高缺陷态增加的问题;系统研究了多晶硅锗材料生长条件对材料电学特性和光学特性的影响;提出了降低材料缺陷态的工艺条件,有效提高了材料的光敏性;实现了对材料中锗含量的调节,以及对材料带隙的控制,大幅度提高了材料在长波长领域的吸收;同时,制备出了高性能适合于光伏电池的薄膜多晶硅锗材料;制备出转换效率为4.2%的多晶硅锗薄膜光伏电池。该项目提出了新的思路和独特的工艺路线,研究成果受到国际相关领域专家的重视,并在国际会议上做特邀报告。该项研究开拓了国内在窄带隙太阳电池材料的研究方向。