[00142954]用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO2)材料。SiO2掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO2薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO2薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO2掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
