[00143668]高出光率的GAN基光子晶体LED的研制
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技术详细介绍
本课题围绕提高GaN基器件的内量子效率和外量子效率,引入具有微纳结构的光子晶体,结合辐照增强工艺,开展光子晶体LED器件研究,包括器件的理论分析和工艺研究等内容。 本课题研究的主要创新点在于：1.建立了光子晶体结构GaN材料LED器件模型,利 用导波模方法模拟分析了光子晶体结构LED的光传输特性和光辐射场分布。2.使用紫外 曝光工艺和干法刻蚀技术在GaN材料LEDITO电极表面制作了平板光子晶体图形,明显提 高了LED的出光效率。3.对光子晶体LED器件进行了电致辐射光场分布测试,发现引入 平板光子晶体可以对LED的导波模式加以调制,使其落入光锥内部而被有效提取,光子晶体LED发光效率平均提高了38%。4.提出利用电子束辐照改进LED外延片出光效率的方 法,并开发了相关工艺,发光效率最高可提高52%。
