[00144744]具有垂直阵列结构的金属/非金属复合薄膜的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种具有垂直阵列结构的金属/非金属复合薄膜的制备方法,该方法是通过射频磁控溅射共沉积技术制备金属/非金属复合结构薄膜,通过严格控制工艺过程中的非金属靶/金属靶功率比条件来实现对金属阵列尺寸、体积比的大范围调控;本工艺过程环境友好,简单易行,不需要借助模板,对基底无特殊要求,室温下即可得到的不同形态、尺寸和结晶态的金属/非金属垂直阵列结构,在光学器件、催化、精密电阻薄膜、存储、显示器件等领域都具有良好的应用潜力和前景,为垂直阵列结构的复合薄膜的工业化应用提供了新的技术思路。
