[00144768]一种可单片集成的射频滤波器及其制作方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种可单片集成的射频滤波器及制作方法。其特征在于所述的射频滤波器的集成在CMOS硅衬底上,电感和电容元件结构悬空,且嵌入硅片表面。首先是在硅片表面沉积导电金属层作为金属－绝缘层－金属电容的下金属极板;生长介质层薄膜作为MIM电容的绝缘介质层;然后电镀同时形成MIM电容的上金属极板和嵌入式螺管电感的上导线;再利用各向异性腐蚀形成V型或倒梯型的沟槽,用于制作电感下导线以及确定悬空释放MIM电容的开口;在电感区域沟槽里制作电感的下导线;最后采用各向同性腐蚀释放电感结构和MIM电容,使它们悬空。采用低温工艺,在普通的低阻硅片上制造,整个微加工制造工艺与CMOS集成电路工艺兼容。
