[00144867]碳化硅单晶与薄膜半导体材料
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技术详细介绍
SiC是制作耐高温、抗辐射的微电子器件的首选材料，也是GaN基薄膜的最佳衬底，随着尖端科技的飞跃发展，诸多国防军工建设、国民经济建设和高新产业领域存在着越来越多的高温、核辐射等恶劣环境，因而对SiC的需求越来越急迫。但到目前为止，中国其它SiC材料和器件研究单位都只能从美国Cree公司等购买少量样品作实验之用，这些购进的SiC材料价格昂贵而质量低下。针对以上情况，该项目组在原有基础的研究上展开攻关，取得了一系列成果。在Si衬底上采用CVD技术重复地生长大面积优质3C-SiC薄膜，为“十五”期间将SiC从实验室进入产业化阶段打下了基础。其中有关红特性、X射线衍射峰与薄膜内在关系的研究在国内外报道很少，有的甚至未见报道，引起了国内外同行的高度重视。可以肯定，只要“十五”期间能得到足够力度的支持，打破国外垄断，在国内实现SiC产业化是完全可能的。SiC材料的研究与开发将有力推动相关领域的发展，其应用前景可以说是极大极好，所产生的经济效益不可估量。
