[00145432]基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底;形成FTO薄膜;制备CH3NH3PbI3材料以形成第一光吸收层;在第一光吸收层表面形成第一电子传输层;在第一电子传输层表面形成源漏电极;在源漏电极及未被源漏电极覆盖的第一电子传输层表面形成第二电子传输层;在第二电子传输层表面制备CH3NH3PbI3材料以形成第二光吸收层;在第二光吸收层表面形成栅电极,最终形成双向HEMT器件。本发明通过采用对称的光吸收层,能吸收更多的光产生光生载流子,并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极,能实现上下光照都能照射到光吸收层,且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子,提高迁移率高,增强传输特性和增加光电转换效率。
