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C60 体系的输运特性和结构密切相关。采用不同的方式在C60里掺杂金属元素,诸如C60/Sb 双层膜,C60-Cu 颗粒膜。通过原位的直流电导的测量研究金属的掺杂对相转变温度的影响。结果表明,C60里掺杂Sb 可以改变其相转变的临界温度,提高到278K,比本征的C60提高18K。对C60-Cu颗粒膜,通过拉曼谱研究Cu 到C60的电荷转移,结果显示颗粒膜的均匀性。畴界处的C60-Cu之间的相互作用对C60 转变温度的影响起主要作用,使其降低至219-248K。研究还发现,对C60临界温度的影响和掺杂的金属量有关系,并随着退火而消失。在现有的OMICRON 变温扫描隧道显微镜一分子束外延联合系统上,搭建起完全由自己设计的一套原位的表面磁光测量系统。其本底真空可以达到2×10E-10mbar,使用液氦制冷,其工作温度可以达到30K。可以用来测量原子单层或亚原子单层磁性,具有很好的信噪比。