[00147098]相变存储器
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技术详细介绍
本发明涉及一种新型的相变存储单元结构。其特点在于：1.使用1DnR存储单元结构，减少选通管占用的芯片面积；2.使用1D2R结构，其中2R存储互补的两个电阻状态；3.有较高的读取速度；4.可以有效减少由于工艺偏差，存储单元与驱动电路远近不同造成的对存储器的影响；5.可以有效的减小读操作脉冲的累积对存储单元阻值改变造成的影响，同时可以减小多次写操作后器件老化产生的影响；6.有效的增加了相变单元的读取裕量，也可减少读操作电压或电流。
