[00147268]一种耐高温多孔夹层透波材料及其制备方法

宽频带透波材料多采用多层罩壁结构（A夹层或C夹层）来满足频带宽度的要求。多孔氮化硅陶瓷材料具有低密度、低介电常数、稳定的高频介电性能、良好的耐热性能及合适的强度、较长的使用寿命等特点,是耐高温宽频带透波材料比较合适的芯层材料,是制备A夹层或C夹层耐高温宽频带透波材料的关键。 但为了满足宽频透波的目标,夹层结构的设计一般需要的蒙皮：芯层的比值小于1:10,由于透波材料整体厚度在5～10mm,因此蒙皮厚度一般小于1mm,基本上为0.5mm,制备非常困难。目前,CN102303441B、CN103647144A等专利公布了夹层结构的制备方法,层间采用树脂胶或钎焊等方式连接,但由于材料采用的都是树脂基复合材料,不能满足高温下的使用要求。在耐高温夹层结构的材料制备方面,US6091375报道了在多孔芯层上涂上或浸渍树脂、非晶质二氧化硅或硼硅玻璃等涂层,制备得到了抛物面形状的A夹层产品。US4677443报道了一种高温宽频透波材料的制备方法,其中芯层由低密度的氮化硅组成,外皮由高密度的BAS/Si3N4复合材料组成,与常规的对称三层结构（A夹层结构）相比,由于内表面不存在高密度表层,从而减少了材料的热冲击应力。US5103239和以色列（Mat Sci Eng,1985,71：265-272）采用反应烧结结合其他工艺制备A型夹层的Si3N4陶瓷,外层为相对致密的Si3N4,而内层为多孔的Si3N4。US4358772报道了采用注浆成型和CVD工艺制备5层的SiO2/Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2陶瓷材料。 本发明涉及一种耐高温多孔夹层透波材料及其制备方法,所述透波材料包括芯层、以及将芯层夹在中间的蒙皮,其中,制备芯层和蒙皮的原料包括硅、氮化硅,或者,硅和氮化硅的混合粉体,最终制备的蒙皮和芯层的材质为氮化硅,芯层的气孔率为70-92%,蒙皮的气孔率为20-56%。