[00148336]电子束缩小投影成像曝光系统

该项目为中国科学院创新工程重大项目，编号：KGCXl-Y-8，1999年9月开题，2002年3月完成，并通过专家组评审和验收。电子束缩小投影成像曝光技术是21世纪用于纳米级集成电路生产的主要光刻技术之一。该项目完成了一套200KV加速电压的投影成像原理装置，在该装置上完成了缩小投影成像曝光的原理试验，达到的技术指标是：最细曝光图形线宽为78nm；掩模图形面积为3×3～30×30mm^2、曝光焦深约为93μm；单元电子图像尺寸125×125lLm^2；缩小比率为4:1。该项目的创新点是：1.在200KV加速电压下，实现了具有角度限制的散射型掩模的电子束缩小投影曝光，证明了该技术能达到纳米级分辨率和极高的生产率。2.采用了独特的反对称双磁透镜设计，使大部分像差能相互抵消，大大减小了系统总像差(经动态修整后总像差为23nm)。3.将“纳米硅镶嵌”技术应用于散射掩模的制备，减少了内应力，提高了掩模成膜率和热稳定性。4.精密工件台的激光测量分辨率达到6nm，提高了系统定位精度。本系统由电子束缩小成像系统、激光控制精密工件台、计算机控制系统及软件、超高真空系统和信号检测系统组成。研制下一代光刻机(NGL)即用于70nm以下集成电路大规模生产用光刻机是世界工业先进国家竞争的热点，目前只有美国和日本在从事此项研究。该成果获得的光学设计、结构设计、掩模制作工艺，曝光实验结果和开发的控制软件为我国研制下一代纳米级电子束光刻机打下了良好基础。