X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00016105]基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的2:1复用器

交易价格: 面议

所属行业: 其他电子信息

类型: 实用新型专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201220001499.4

交易方式: 许可转让

联系人: 郭老师

进入空间

所在地: 福建福州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

  本实用新型涉及一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的2:1复用器,该复用器电路仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成,共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和3个SET,其输入输出电压间具有较好的兼容性,输出电压具有较大的摆幅。与基于布尔逻辑的CMOS2:1复用器相比,电路功耗明显下降,管子数目得到了一定的减少,电路结构得到了进一步的简化。该复用器能够在信号传输、数据传递、数据总线控制等领域中得到应用,有利于降低电路功耗,节省芯片面积,提高电路的集成度。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467