[00016284]镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器

镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器项目简介：

　　红外上转换防伪标识是利用不可见的红外光来激发一种光学功能材料，产生可见光（通常是黄光）达到防伪目的。红外上转换材料防伪标识已经用在人民币等对防伪要求很高的领域，但是相应的验钞机等往往只具有荧光检测、磁性检测、红外穿透检测、激光检测、防夹心检测这些手段。可供红外上转换材料应用检测的检测器往往结构复杂、体积较大、技术手段较为烦琐，价格相对较为昂贵，对检测十分不利。因此，对红外上转换材料防伪标识的检测往往需要肉眼。但是由于肉眼对黄光并不敏感，而且辐射的黄光非常微弱，当需要大量识别真伪时，对人眼带来很大困难。另一个重要方面原因是检测者主观的感官来判断防伪标识的真假，存在着很大的个人经验性。此外，还存在速率问题，当验钞速率增加时，通常的光敏接收头，由于光敏器件结构局限性，很可能无法检测到快速的黄光信号。因此，利用本项目研发芯片的检测仪器来检验红外上转化标识可以实现全自动、快速伪钞识别。

　　本项目涉及可用于红外上转换材料防伪标识检测的GaP系黄光窄带光电二极管，该光电二极管只对黄光波段有响应，在红外光波段响应度基本为零。研制的光电二极管工作波长：550～600nm，峰值响应位于555nm处，工作偏压为反向偏压≤6V；暗电流<4nA；测得反向偏压4。7V时的响应度：0。12μA/μW；光敏面积：直径75μm。因为少量研究，所以没有采用专门外延生长的芯片，如果能利用符合要求的外延片响应度可以大大提高。

　　基本工艺为为：外延片设计→外延片生长→外延片清洗→扩散掩膜生长→光刻扩散窗口→腐蚀扩散掩膜，露出扩散窗口→高温锌扩散→背面腐蚀→光刻P面金属电极→溅射P面电极金属→剥离P面金属电极图形→退火合金→溅射N面电极金属→退火合金→中测→生长增透膜→光刻焊盘窗口→腐蚀裸露焊盘金属→测试→划片→封装→终测。

　　本项目的主要创新点在于研制能够用于上红外转换材料防伪标识检测的GaAsP/GaP黄光半导体探测器。

　　应用前景：

　　目前国内外在该方面研究的较少，并且没有商业化。若能抢占了商业先机，则具有较大的市场效益。

　　项目成熟度：

　　可选：在研、小试（√）、中试、产业化、其他：________

　　投资及效益分析：

　　包括：生产规模及设备投资、经济效益估算等。