交易价格: 面议
所属行业: 其他化学化工
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN200810070570.2
交易方式: 完全转让
联系人: 石小莉
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所在地: 福建福州市
掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法,属于人工晶体领域。该激光晶体属于单斜晶系,分子式为Nd3+:LaBMoO6,Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.%之间。该激光晶体采用提拉法生长,生长温度1090℃,晶体转速10~30转/分钟,拉速0.5~1毫米/小时。该晶体是一种新型的激光晶体,可产生1060nm和900nm左右波长的激光输出。本发明制备工艺简单、生长速度快、成本低廉;所生长晶体具有硬度大、组分均匀、尺寸大和光学质量好的优点。
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