[00016536]一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用

交易价格： 面议

所属行业： 其他新材料技术

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710404219.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：石小莉

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所在地：福建福州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。本申请的晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别为AgGaS2的0.5倍和5倍。

[00016536]一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用

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