[00016851]一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种基于原子层沉积技术（ALD）的具有超宽带、高增益特性的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法，属光纤技术领域。它由纤芯，内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成，包层由纯石英构成，两种光纤结构如图1(a)所示，纤芯直径Φ=5~20μm，内包层直径Φ=8~50μm，包层直径Φ=40~400μm；如图1（b）所示，纤芯直径Φ=5~80μm，包层直径Φ=60~400μm。利用ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01-10mol%。本发明的光纤结构简单、合理，具有均匀分布与掺杂浓度可控等优点。
