[00016877]薄膜晶体管的制备方法及具有导电孤岛的薄膜晶体管
技术详细介绍
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，同时形成漏电极、源电极和导电孤岛，其中导电孤岛位于漏电极及源电极之间；在漏电极、源电极及导电孤岛之间的间隙内制备半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制备方法，在刻蚀源漏电极的同时，能在源漏电极沟道间制备得到纳米级的导电孤岛，简化了制备薄膜晶体管的工艺步骤，降低了薄膜晶体管的制备成本，而且大幅度提升了薄膜晶体管的稳定性和开态电流。
