[00018216]基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元
技术详细介绍
摘要：本发明提出了一种基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元，包括锁存电路和位选择电路，锁存电路由两个PMOS管P1和P2、两个NMOS管N1和N2、第一阻容网络和第二阻容网络构成；位选择电路由NMOS管N5和N6组成；锁存电路形成4个存储点X1、X1B、X2、X2B；相对于传统6T结构存储单元，添加了阻容网络，在不改变原读操作通路，在不增加明显复杂性情况下，以增加少量面积为代价，保证存储单元不发生单粒子翻转，保证数据正确。
