[00019177]一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线
交易价格:
面议
所属行业:
自动化应用
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201410134315.5
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
贾辉
进入空间
所在地:
天津天津市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线,属于天线领域。本发明包括环形天线,Si基FET,低噪声放大器;其中环形天线用于接收THz波,同时把接收到的THz波转化为电信号给FET,FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器,信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本发明在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。