[00019996]一种采用金属硅化物的手性超结构
技术详细介绍
本发明涉及光学领域，尤其涉及一种手性超结构。本发明中的一种采用金属硅化物的手性超结构，包括沿着光线入射方向依次设有的上硅化物层、介质层、下硅化物层和衬底层；上硅化物层、介质层和下硅化物层具有相同的平面结构，所述平面结构包括多个周期为p的单元结构,单元结构为四个中心对称的圆环和十字相交的长方形组成，圆环的内径为r1，圆环的外径为r2,长方形的长为l,长方形的宽m=r2‑r1；上硅化物层4和下硅化物层2厚度为t，介质层3的厚度为d。以NiSi为例，左，右圆偏振光透射谱线在磁共振点附近分开，产生了约0.42的圆二色性以及0.7的椭圆率，并发生相位突变，在共振点产生了从60°到‑55°的偏振旋转。
