[00002631]一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法
交易价格:
面议
所属行业:
化工生产
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201210407474.9
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
许尔杰
进入空间
所在地:
江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取纯度为99.6%均匀掺杂的块状Nb作为磁控溅射的靶材,掺杂材料质量百分比分别为Al:0.2%,Fe:0.12%,Si:0.05%,Ti:0.02%,Cr:0.01%,将靶材放入磁控溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用超声波、丙酮和氩离子清洗,放入磁控溅射室;(3)制备Nb薄膜,磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射电流、沉积速率、衬底温度和靶材到衬底的距离,经过一定时间直流溅射制备薄膜。本发明改进超薄Nb膜超导性能。