[00002634]一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法

交易价格： 面议

所属行业： 化工生产

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310191941.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：许尔杰

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所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。

[00002634]一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法

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