[00002654]一种制备GaN薄膜材料的方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他新材料技术

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201210316953.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：许尔杰

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所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。

[00002654]一种制备GaN薄膜材料的方法

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