[00002769]基于电容耦合的室温太赫兹检测器及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种基于电容耦合的室温太赫兹检测器，包括硅衬底，所述硅衬底上的第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层上的六氮五铌薄膜微桥，所述六氮五铌薄膜微桥两端连接的金属薄膜电极，位于所述六氮五铌薄膜微桥上的第二二氧化硅层，以及位于所述第二二氧化硅层上的金薄膜偶极子天线。本发明还公开了制备上述室温太赫兹检测器的方法。本发明的室温太赫兹检测器工作于室温，具有较高灵敏度，且容易做成大规模阵列芯片。
