[00020634]基于晶体管结构的存储器单元
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种基于晶体管结构的存储器单元，其包括介质层、源极、漏极和半导体层，所述介质层包括相对的第一表面和第二表面，所述半导体层设于所述介质层的第二表面，所述源极和漏极相对且间隔设置于所述半导体层并通过半导体层电连接，位于所述源极和漏极之间的半导体层为沟道区，所述存储器单元还包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极设置于所述沟道区上并与所述沟道区接触，所述第一栅极与所述源极及漏极均相互间隔，所述第一栅极的材料为金属氧化物，p型导电半导体材料，或者其费米能级与沟道区不一致的材料，所述第二栅极设置于所述介质层的第二表面并与所述沟道区间隔且相对设置以调控所述沟道区。
