[00020636]一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元，包括从下至上依次设置的衬底、第一电极、中间层及第二电极，所述中间层由氮掺杂多孔碳薄膜形成。本发明还公开了一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法，首先在衬底表面沉积金属薄膜作为第一电极；在第一电极表面沉积氮掺杂多孔碳薄膜；在氮掺杂多孔碳薄膜表面沉积金属薄膜作为第二电极；采用反应离子刻蚀或电感耦合等离子体刻蚀的方法在已获得的结构基础上制备出隔离的器件结构。本电阻型随机存储器不需要电形成过程，高低电阻态间差值大于100倍，且表现出优异的高温稳定性能，在120℃，氩气或氮气气氛中，高低阻态的阻值可以稳定保持超过7天。
