[00020712]掺氮直拉硅单晶氮及相关缺陷的研究
技术详细介绍
该项目涉及微电子的基础和关键材料－硅单晶的基本特性研究，属于信息科学领域。
20世纪80年代末期我国独创了减压充氮生长直拉硅单晶。自1991年起，该项目系统开展了掺氮直拉硅单晶相关缺陷与性能的基础理论研究，证明氮影响直拉硅单晶的电阻率稳定，提出氮对热和新施主的抑制作用机理，揭示掺氮直拉硅单晶缺陷的结构、性质和作用，形成较完整的对掺氮直拉硅单晶相关缺陷物理内涵的认识，解决了掺氮直拉硅单晶在超大规模集成电路中应用的基本科学问题。
该项目已受到国际同行和国际硅单晶制备业的重视。该项目在掺氮直拉硅单晶相关缺陷与性能的基础理论研究所取得的成果，促进了国内外微电子事业的基础-超大规模集成电路用大直径硅单晶的发展。微掺氮技术具有抑制微缺陷、吸杂能力强、机械强度高等优点，对8英寸直径以上的硅单晶质量的优化有着重要的科学意义和实用价值。目前，掺氮直拉硅单晶已经成为国际硅产业界的重要新品种。
该项目共发表论文88篇，其中SCI论文41篇(占同期国际掺氮直拉硅单晶SCI论文47%以上)，El论文11篇（和SCI不重复检索），国际会议论文36篇（大会邀请报告3次），获国家发明专利2项。被SCI论文他引70次。
