[00021128]高阻、高均匀度磁场直拉硅单晶技术
技术详细介绍
技术投资分析：
本项技术是针对国内外有较大市场的高阻高质量硅单晶片开发的，具有自主产权的磁场生长技术（MCZ）。
通过所开发的技术使生产的硅单晶有较高的电阻率范围、较均匀的径向电阻率分布、较精确的氧浓度控制和较少的氧沉淀及微缺陷密度，可明显改善器件的耐高压特性、成品率、参数一致性，提高器件可靠性，使制造许多高性能器件成为可能。
技术的应用领域前景分析：
MCZ单晶开发的成功将大大扩大国内外市场的占有率，从目前超过100吨/年的国内市场和更大的国际市场，规模化的经济效益增加的潜力非常巨大。
效益分析：
以研究开发阶段年产能力2000kg计算，年增产值约200万元，其中大部分为利润增加，税收相应增加，MCZ优质产品出口创汇的可能性是很大的。
厂房条件建议：
无
备注：
无
