[00023485]一种离子液体中低温下直接电解制备晶体硅的方法
技术详细介绍
本发明公开了一种离子液体中低温下直接电解制备晶体硅的方法，用于解决电沉积法制备硅过程中一直存在的低温和晶体结构不能兼顾的问题。
电解制备晶体硅的方法重要创新是以低温离子液体为电解液，以液态金属及其合金为阴极，利用离子液体熔点低、不易挥发的特性，以及液态金属电极中硅的溶解-析出平衡，在90～120℃的低温范围内成功制备了立方型的晶体硅。本发明的特点包括操作温度低、离子液体体系稳定、工艺步骤简单易操作；可通过恒流、恒压进行控制、易于实现连续生产，电解制备晶体硅的方法可显著降低硅生产能耗和成本。本发明在半导体材料的制备中具有很好的应用前景。
电解制备晶体硅的方法重要创新是以低温离子液体为电解液，以液态金属及其合金为阴极，利用离子液体熔点低、不易挥发的特性，以及液态金属电极中硅的溶解-析出平衡，在90～120℃的低温范围内成功制备了立方型的晶体硅。本发明的特点包括操作温度低、离子液体体系稳定、工艺步骤简单易操作；可通过恒流、恒压进行控制、易于实现连续生产，电解制备晶体硅的方法可显著降低硅生产能耗和成本。本发明在半导体材料的制备中具有很好的应用前景。
