[00003826]一种提高非挥发性快闪存储器高密度存储特性的操作方法
技术详细介绍
提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬态的FN操作，促使沟道中电荷分布均匀；2)通过反复进行几次进行步骤1)，双边BBHH与FN操作步骤将初始状态调整到阈值电压为-2V～-1V，并且最终实现沟道区的阈值电压分布处处相同；3)以上述阈值为多值存储的初始状态，对NOR型局部俘获存储单元进行多值单元的编程操作；4)在达到编程状态后进行次短时间的-FN过程；本发明可达到提高存储器件的保持特性与耐受特性。
