[00003853]CdTe薄膜上生长CdS薄膜或CdS纳米结构的方法
技术详细介绍
本发明涉及一种CdTe薄膜上生长CdS薄膜或CdS纳米结构的方法，包括如下步骤：1）将CdTe薄膜装入石英管中，放入烧结炉，然后排除石英管内的多余气体；（2）接着通入含硫化氢气体的混合气体，升温烧结炉对CdTe薄膜进行退火；（3）退火后降温，取出薄膜，得到成品。本发明把CdTe薄膜放入烧结炉中，并且通入硫化氢气体，然后升高烧结炉的温度，最后在CdTe薄膜表面原位生成了CdS薄膜或者CdS纳米结构。采用这种制备方法设备简单、成本低，在生长过程中温度低、不使用催化剂、模板等优点。是一种新的制备异质结的方法，可应用在异质结构光伏太阳电池（如CIGS,CZTS和CdTe）的制备中。
