[00003859]一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置
技术详细介绍
改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布，从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计，可以使得气流分布的更加均匀，样品无需旋转。
