[00003863]一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法
技术详细介绍
一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，1)采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约100±10nm，8μm*2μm周期性回环的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成单根纳米线多通道复用形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在纳米线特定位置的两侧制作80‑120nm厚度的金属块作为金属电极；5)利用ALD在纳米线阵列上方定义覆盖介质层；6)通过光刻热蒸发在介质层上方特定位置定义栅极，厚度为100nm。
