[00003865]一种实现硅表面结构平滑的方法与设备
技术详细介绍
一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪气等抑制表面的过迁移现象，在温度开始下降即600℃-1000℃时通过氮气终结硅表面的迁移，或者继续加入氩气或二氧化碳等抑制硅原子的迁移，然后在后期降温即从800℃到室温的过程中引入高纯氧气；通入氧气形成一层致密的氧化硅薄膜作为保护层材料的表面结构。本发明平滑方法同样可以改善光栅等各类表面结构。该平滑方法要求的周期短，工艺要求价格低廉，可以实现量产，并有效实现硅原子表面的平滑。
