[00003893]多栅极神经元晶体管及其制备方法和构成的神经网络
技术详细介绍
本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同耦合至浮栅电极上，继而协同控制沟道输出电流，模拟神经元的加权计算功能。同时，电容记忆层的电容大小随输入栅压信号的历史而变化，模拟突触权重的可塑性。本发明还提出了该多栅极神经元晶体管的制备方法，以及由若干多栅极神经元晶体管相互电连接而成的神经网络。本发明结构简单，便于制备和集成，有望在类脑智能芯片等领域得到应用。
