[00003900]AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1‑xN层、n型AlxGa1‑xN层、i型Aly1Ga1‑y1N层、n型AlyGa1‑yN组分渐变层、i型Aly2Ga1‑y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。
