[00003912]基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件
技术详细介绍
基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件，所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑型二维层状薄膜材料薄膜层，所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上，n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，石墨烯将两半导体层完全分隔开；所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等；顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括基底，设置在所述绝缘层下面。
