[00003913]异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为AlN模板层、AlxGa1‑xN缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、i型AlyGa1‑yN吸收层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlyGa1‑yN倍增层、i型AlzGa1‑zN倍增层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN层，在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x、y、z满足0.2≤z＜y＜x，且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，可明显提高空穴的离化率、降低电子的碰撞离化、降低APD雪崩击穿时的器件噪声，有助于提高APD器件的整体性能。
