[00003920]p-i-n结InGaN太阳电池制造方法
技术详细介绍
本发明公开了一种p-i-n结InGaN太阳电池制造方法，步骤为：清洗衬底；在衬底上生长GaN层；再生长全应变弛豫高In组分InGaN层；继续生长高In组分InGaN/GaN结构的InGaN超晶格层、高In组分n-InGaN层、高In组分i-InGaN层、高In组分p-InGaN层；升温生长p-GaN层；在p-GaN层刻蚀出电池台面；在p-GaN层上蒸镀栅形欧姆电极；在高In组分n-InGaN层台面上蒸镀欧姆电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，晶格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。
