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[00003922]一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201210406138.2

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 许尔杰

进入空间

所在地: 江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

本发明公开了一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法,包括如下步骤:将基片超声清洗并吹干;进行Ar离子洗;通过直流磁控溅射的方式生长特殊掺杂的超导Nb薄膜;旋涂电子束抗蚀剂,然后对电子束抗蚀剂进行电子束光刻,在电子束抗蚀剂上绘制出宽度小于或等于100nm的线条图形;用反应离子刻蚀的方式进行刻蚀,将线条图形转移到Nb薄膜上,形成Nb纳米线条;清洗残留的电子束抗蚀剂,并在样品的表面旋涂光刻胶,通过深紫外曝光的方式在光刻胶上形成电极图形;生长电极。本发明克服了现有的Nb材料制备的SNSPD超导转变温度低,临界电流密度低,光响应波长短的难题。

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