[00003930]Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法
技术详细介绍
本发明公开了一种Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si‑CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si‑CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si‑CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。
