[00003938]一种微纳米GaN衬底及发光二极管制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410624667.9

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：许尔杰

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所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种微纳米GaN衬底的方法，通过光助法即紫外光照射的条件下腐蚀溶剂腐蚀GaN衬底，形成具有非极性/半极性面的微纳米结构的GaN模板；微纳米结构为六棱锥或者六棱柱；腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH、摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K₂S₂O₈的混和物、摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到微纳米GaN六棱锥衬底。

[00003938]一种微纳米GaN衬底及发光二极管制备方法

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