[00003939]紫外发光二极管芯片及其制造方法
技术详细介绍
本发明公开了一种紫外发光二极管芯片，包括主要由衬底、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层组成的外延层，p电极和n电极，其特征在于：所述p‑AlGaN上的p‑GaN层被部分刻蚀形成具有多个小岛或者开孔的浅台面；p‑GaN浅台面上设有金属点，并与石墨烯形成局部欧姆接触。相对于现在的技术，本发明所述的技术方案通过石墨烯作为扩散层，提高了电子的迁移，提高了电流分布的均匀性；通过金属点接触，降低接触电阻，提高发光效率；通过刻蚀GaN层，减少紫外波段的吸收，提高整体紫外出光率。
